Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
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Einzelheiten zu den Produkten

Created with Pixso. Haus Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
IGBT-Modul
Created with Pixso.

Kompaktes und leichtes IGBT-Modul KES650H12A8L-2M für platzsparende Anlagen

Name

Kompaktes und leichtes IGBT-Modul KES650H12A8L-2M für platzsparende Anlagen

Markenbezeichnung: Krunter
Modellnummer: KES650H12A8L-2M
Ausführliche Information
Produkt-Beschreibung
Ausführliche Information
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
Hervorheben:

Kompaktes IGBT-Modul

,

Platzsparendes IGBT-Modul

,

Leichtgewicht IGBT-Modul

Produkt-Beschreibung

KES650H12A8L-2M

  • Hohe Leistungsdichte mit Trench FS IGBT-Technologie

  • Niedriges VCE (sat)

  • Parallelbetrieb aktiviert; symmetrische Konstruktion und positiver Temperaturkoeffizient

  • Konstruktion mit niedriger Induktivität

  • Ein integrierter NTC-Temperatursensor

  • Isolierte Unterplatte mit DBC-Technologie

  • Kompaktes und robustes Design mit geformten Enden

Diagramm der inneren Schaltung

Kompaktes und leichtes IGBT-Modul KES650H12A8L-2M für platzsparende Anlagen 0

Spezifikationsparameter

TYPE VBR
Elektronen und Strom		 VGS (th)
Elektronen und Strom		 Identifizierung
Ampere		 RDS ((an)
mΩ		 IDSS
uA		 TJ Rth ((JC)
K/W		 Ptot
Watt		 Schaltkreis Paket Technologie
KES400H12A8L-2M 1200 V 3.2V 400A 3.7mΩ 200 uA 175°C 0.064 2230 W 2 Packungen ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200 V 3.2V 650A 2.2mΩ 200 uA 175°C 0.064 3200 W 2 Packungen SIC MOSFET


Kompaktes und leichtes IGBT-Modul KES650H12A8L-2M für platzsparende Anlagen 1

Umbauten: 

Transistormodul  

IGBT-Modul  

IGBT-Leistungsmodul

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