Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski

Einzelheiten zu den Produkten

Created with Pixso. Haus Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
IGBT-Modul
Created with Pixso.

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie

Markenbezeichnung: Krunter
Modellnummer: KHG75H12E4L
MOQ: 1
Preis: Verhandlungsfähig
Zahlungsbedingungen: Verhandlungsfähig
Versorgungsfähigkeit: Verhandlungsfähig
Ausführliche Information
Herkunftsort:
aus China
Product:
IGBT Module
Output Type:
Rail to Rail
Date Code:
Newest code
Maximum Clock Frequency:
8 MHz
Maximum Junction Temperature:
175°C
Input Voltage Range:
4.5 V to 18 V
Warranty:
365days
Stock:
100PCS
Operating Temperature:
-40 to +125
Configuration:
6-Pack
Maximum Collector Current:
600A
Factory Packing Quantity:
24
Moisture Sensitive:
YES
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.8V
Feature:
High current
Verpackung Informationen:
Standardverpackung
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
Verhandlungsfähig
Hervorheben:

IGBT-Modul KHG75H12E4L

,

8 MHz IGBT-Modul

,

Hochfrequenz-IGBT-Leistungsmodul

Produkt-Beschreibung

KHG75H12E4L IGBT-Modul für Hochspannungs- und Hochfrequenzstromverteilung in der Industrie

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie 0

KHG75H12E4L

  • NPT-IGBT-Technologie

  • 10 μs Kurzschlussfähigkeit

  • Niedriger Umschaltverlust

  • VCE (sat) mit positivem Temperaturkoeffizient

  • Quadrat RBSOA

  • Fall mit geringer Induktivität

  • Schnelle und weiche Rückwärtswiederherstellung

  • Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

 
 

 

Anwendung

Diagramm der inneren Schaltung

  • Schweißmaschinen

  • mit einer Leistung von mehr als 10 W

  • Induktionsheizung

  • Plasmaschneidemaschinen

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie 1

Spezifikationsparameter

TYPE VCES
Elektronen und Strom
VGES
Elektronen und Strom
IC
Ampere
VCE(SAT)
Elektronen und Strom
(EON+EOFF)
mJ
TJ Ptot
Watt
Schaltkreis Paket Technologie
 
KWG50F12E4T 1200 V ± 20 50A 2.90V 60,9 mJ 150°C 408 Packung 4 62 mm ((T) NPT
KWG75F12E4T 1200 V ± 20 75A 2.90V 11.8mJ 150°C 595 Packung 4 NPT

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie 2