Einzelheiten zu den Produkten

Created with Pixso. Haus Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
IGBT-Modul
Created with Pixso.

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie

Markenbezeichnung: Krunter
Modellnummer: KHG75H12E4L
MOQ: 1
Preis: Verhandlungsfähig
Zahlungsbedingungen: Verhandlungsfähig
Versorgungsfähigkeit: Verhandlungsfähig
Ausführliche Information
Herkunftsort:
aus China
Product:
IGBT Module
Output Type:
Rail to Rail
Date Code:
Newest code
Maximum Clock Frequency:
8 MHz
Maximum Junction Temperature:
175°C
Input Voltage Range:
4.5 V to 18 V
Warranty:
365days
Stock:
100PCS
Operating Temperature:
-40 to +125
Configuration:
6-Pack
Maximum Collector Current:
600A
Factory Packing Quantity:
24
Moisture Sensitive:
YES
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.8V
Feature:
High current
Verpackung Informationen:
Standardverpackung
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
Verhandlungsfähig
Hervorheben:

IGBT-Modul KHG75H12E4L

,

8 MHz IGBT-Modul

,

Hochfrequenz-IGBT-Leistungsmodul

Produkt-Beschreibung

KHG75H12E4L IGBT-Modul für Hochspannungs- und Hochfrequenzstromverteilung in der Industrie

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie 0

KHG75H12E4L

  • NPT-IGBT-Technologie

  • 10 μs Kurzschlussfähigkeit

  • Niedriger Umschaltverlust

  • VCE (sat) mit positivem Temperaturkoeffizient

  • Quadrat RBSOA

  • Fall mit geringer Induktivität

  • Schnelle und weiche Rückwärtswiederherstellung

  • Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

 
 

 

Anwendung

Diagramm der inneren Schaltung

  • Schweißmaschinen

  • mit einer Leistung von mehr als 10 W

  • Induktionsheizung

  • Plasmaschneidemaschinen

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie 1

Spezifikationsparameter

TYPE VCES
Elektronen und Strom
VGES
Elektronen und Strom
IC
Ampere
VCE(SAT)
Elektronen und Strom
(EON+EOFF)
mJ
TJ Ptot
Watt
Schaltkreis Paket Technologie
 
KWG50F12E4T 1200 V ± 20 50A 2.90V 60,9 mJ 150°C 408 Packung 4 62 mm ((T) NPT
KWG75F12E4T 1200 V ± 20 75A 2.90V 11.8mJ 150°C 595 Packung 4 NPT

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie 2