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KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie

Name: KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie
Brand: Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
SKU: KHG75H12E4L
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	Krunter
Modellnummer:	KHG75H12E4L
MOQ:	1
Preis:	Verhandlungsfähig
Zahlungsbedingungen:	Verhandlungsfähig
Versorgungsfähigkeit:	Verhandlungsfähig

Ausführliche Information

Produkt-Beschreibung

Ausführliche Information

Herkunftsort:

aus China

Product:

IGBT Module

Output Type:

Rail to Rail

Date Code:

Newest code

Maximum Clock Frequency:

8 MHz

Maximum Junction Temperature:

175°C

Input Voltage Range:

4.5 V to 18 V

Warranty:

365days

Stock:

100PCS

Operating Temperature:

-40 to +125

Configuration:

6-Pack

Maximum Collector Current:

600A

Factory Packing Quantity:

Moisture Sensitive:

YES

Collector-Emitter Saturation Voltage:

1.8V

Feature:

High current

Verpackung Informationen:

Standardverpackung

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

Verhandlungsfähig

Hervorheben:

IGBT-Modul KHG75H12E4L

8 MHz IGBT-Modul

Hochfrequenz-IGBT-Leistungsmodul

Produkt-Beschreibung

KHG75H12E4L IGBT-Modul für Hochspannungs- und Hochfrequenzstromverteilung in der Industrie

KHG75H12E4L

NPT-IGBT-Technologie
10 μs Kurzschlussfähigkeit
Niedriger Umschaltverlust
VCE (sat) mit positivem Temperaturkoeffizient
Quadrat RBSOA
Fall mit geringer Induktivität
Schnelle und weiche Rückwärtswiederherstellung
Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Anwendung	Diagramm der inneren Schaltung
Schweißmaschinen mit einer Leistung von mehr als 10 W Induktionsheizung Plasmaschneidemaschinen

Spezifikationsparameter

TYPE	VCES Elektronen und Strom	VGES Elektronen und Strom	IC Ampere	VCE(SAT) Elektronen und Strom	(EON+EOFF) mJ	TJ	Ptot Watt	Schaltkreis	Paket	Technologie

KWG50F12E4T	1200 V	± 20	50A	2.90V	60,9 mJ	150°C	408	Packung 4	62 mm ((T)	NPT
KWG75F12E4T	1200 V	± 20	75A	2.90V	11.8mJ	150°C	595	Packung 4		NPT

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie 2

Umbauten:

Transistormodul

IGBT-Modul

IGBT-Leistungsmodul

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CNC-Bearbeitung

BGA-Prüfungsanlage für Steckdosen

Versuchssteckdose

Azimutträger-Prüfsocket

Anpassungs-Testsokette

Loranger-Prüfsockel

Gestaltungseinspritzung

Verformung

Injektion

Kunststoff

Elektronisches Bauelement

Bleielektrolyse

Hornförmiger Elektrolyseverdichter

Oberflächenelektrolytischer Kondensator

Elektrolyzer für feste Oxide

Ausrüstung

POGO-PIN

Sonden

Verbiegen der PIN

Schraube des Behälters

IGBT-Modul

Mini-Mikroskop

CNC-Bearbeitung

BGA-Prüfungsanlage für Steckdosen

Versuchssteckdose

Azimutträger-Prüfsocket

Anpassungs-Testsokette

Loranger-Prüfsockel

Gestaltungseinspritzung

Verformung

Injektion

Kunststoff

Elektronisches Bauelement

Bleielektrolyse

Hornförmiger Elektrolyseverdichter

Oberflächenelektrolytischer Kondensator

Elektrolyzer für feste Oxide

Ausrüstung

POGO-PIN

Sonden

Verbiegen der PIN

Schraube des Behälters

IGBT-Modul

Mini-Mikroskop

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KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie

IGBT-Modul KHG75H12E4L

8 MHz IGBT-Modul

Hochfrequenz-IGBT-Leistungsmodul

KHG75H12E4L

Anwendung

Diagramm der inneren Schaltung

Spezifikationsparameter