Einzelheiten zu den Produkten

Haus Produits

IGBT-Module für niedrige VCE-Sat- und Kurzschlussströme und niedrige Schaltverluste

IGBT-Module für niedrige VCE-Sat- und Kurzschlussströme und niedrige Schaltverluste

Markenbezeichnung:	Krunter
Modellnummer:	KUG75H12 W4L

Ausführliche Information

Produkt-Beschreibung

Ausführliche Information

Place of Origin:

China

Technology:

Collector-Emitter Saturation Voltage:

1.5V

Collector-Emitter Capacitance:

100pF

Installation Style:

SMD/SMT

Product:

Diode Power Modules

Manufacturer:

PRX

Warranty:

365days

Power Dissipation:

500W

Subcategory:

Interface ICs

Lead Times:

Immediately Shipment

Voltage Rating:

1200V

Dimensions:

106.4*61.4*30.5mm

Moisture Sensitive:

YES

Hervorheben:

Kurzschlussstrom-IGBT-Modul

IGBT-Module mit niedrigem VCE-Sat

IGBT-Modul mit niedrigem Schaltverlust

Produkt-Beschreibung

Niedriges VCE (sat)
10 μs Kurzschlussstrom
Niedrige Umschaltverluste
Positiver Temperaturkoeffizient VCE (sat)
Freiraddioden mit sehr geringem Vorwärtsspannungsabfall und sanfter Wiederherstellung
Industrieübliche Verpackung mit Kupfer-Basisplatte

Diagramm der inneren Schaltung

Spezifikationsparameter

TYPE	VCES	VGES	IC	VCE(SAT)	(EON+EOFF)	TJ	Ptot	Schaltkreis	Paket	Technologie
TYPE	Elektronen und Strom	Elektronen und Strom	Ampere	Elektronen und Strom	mJ	TJ	Watt	Schaltkreis	Paket	Technologie
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 20	40A	2.80V	7.2mJ	150°C	250 W	2 Packungen	34 mm	NPT
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 20	50A	2.80V	7.2mJ	150°C	285W	2 Packungen
Bei der Anwendung dieser Verordnung ist die Kommission verpflichtet, die in Absatz 1 genannten Maßnahmen zu treffen.	1200 V	± 20	75A	2.80V	100,6 mJ	150°C	395W	2 Packungen
Bei der Anwendung der Vorschriften Nr. 1 und 2 ist der Begriff "Förderung" zu verstehen.	1200 V	± 20	100A	3.10V	13.4mJ	150°C	555W	2 Packungen
Bei der Anwendung der Vorschriften Nr. 1 bis 4 ist die	1200 V	± 20	150A	2.80V	17.0 mJ	150°C	790 W	2 Packungen
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.	1200 V	± 20	40A	2.10V	8.8mJ	175°C	250 W	2 Packungen		Graben FS
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 30	50A	1.65V	10.1 mJ	175°C	285W	2 Packungen
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 30	75A	1.65V	18.0 mJ	175°C	395W	2 Packungen
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 30	100A	1.65V	24.8mJ	175°C	555W	2 Packungen
Bei der Anwendung der in Absatz 1 Buchstabe a genannten Vorschriften	1200 V	± 20	40A	2.10V	8.4mJ	175°C	250 W	2 Packungen		Graben Schnell
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 20	50A	2.25V	9.4mJ	175°C	285W	2 Packungen
Bei der Anwendung dieser Regelung sind die folgenden Anforderungen zu beachten:	1200 V	± 20	75A	2.00V	14.0 mJ	175°C	395W	2 Packungen
Bei der Anwendung der Vorschriften Nr. 1 und 2 ist der Begriff "Verbraucher" zu verwenden.	1200 V	± 20	100A	1.90V	19.5mJ	175°C	555W	2 Packungen
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 20	150A	1.90V	27.8mJ	175°C	790 W	2 Packungen

IGBT-Module für niedrige VCE-Sat- und Kurzschlussströme und niedrige Schaltverluste 1

Umbauten:

Transistormodul

IGBT-Modul

IGBT-Leistungsmodul

Verwandte Produkte

Kupferplatten-IGBT-Modul Wärmeabbau Haltbarkeit im industriellen Standardpaket

Erhalten Sie besten Preis

Industrie IGBT-Modul KWG600H12N4B Kupferbasisplatte Igbt-Modul

Erhalten Sie besten Preis

KPP1500H12D3E4 IGBT-Modul-Stromsteuerung 48-Pins Lösung für Unternehmen

Erhalten Sie besten Preis

62mm 50A EPM-Steuergerät IGBT-Leistungsmodul 1 PACK KEG900H600E4L

Erhalten Sie besten Preis

KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie

Erhalten Sie besten Preis

ECPACK 2a Individuell isoliertes Bipolartransistormodul für Stromverteilsysteme

Erhalten Sie besten Preis

ECPACK 3b Kompaktes und vielseitiges IGBT-Modul

Erhalten Sie besten Preis

EZPIM 1b Hochgeschwindigkeitsmodul mit isoliertem Tor Thyristor

Erhalten Sie besten Preis

CNC-Bearbeitung

BGA-Prüfungsanlage für Steckdosen

Versuchssteckdose

Azimutträger-Prüfsocket

Anpassungs-Testsokette

Loranger-Prüfsockel

Gestaltungseinspritzung

Verformung

Injektion

Kunststoff

Elektronisches Bauelement

Bleielektrolyse

Hornförmiger Elektrolyseverdichter

Oberflächenelektrolytischer Kondensator

Elektrolyzer für feste Oxide

Ausrüstung

POGO-PIN

Sonden

Verbiegen der PIN

Schraube des Behälters

IGBT-Modul

Mini-Mikroskop

CNC-Bearbeitung

BGA-Prüfungsanlage für Steckdosen

Versuchssteckdose

Azimutträger-Prüfsocket

Anpassungs-Testsokette

Loranger-Prüfsockel

Gestaltungseinspritzung

Verformung

Injektion

Kunststoff

Elektronisches Bauelement

Bleielektrolyse

Hornförmiger Elektrolyseverdichter

Oberflächenelektrolytischer Kondensator

Elektrolyzer für feste Oxide

Ausrüstung

POGO-PIN

Sonden

Verbiegen der PIN

Schraube des Behälters

IGBT-Modul

Mini-Mikroskop

Einzelheiten zu den Produkten

IGBT-Module für niedrige VCE-Sat- und Kurzschlussströme und niedrige Schaltverluste

IGBT-Module für niedrige VCE-Sat- und Kurzschlussströme und niedrige Schaltverluste

Kurzschlussstrom-IGBT-Modul

IGBT-Module mit niedrigem VCE-Sat

IGBT-Modul mit niedrigem Schaltverlust

Diagramm der inneren Schaltung

Spezifikationsparameter