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Niedrigverlust-IGBT-Modul mit niedriger VCE-Sättigung

Niedrigverlust-IGBT-Modul mit niedriger VCE-Sättigung

Markenbezeichnung:	Krunter
Modellnummer:	KUG100H12S4L

Ausführliche Information

Produkt-Beschreibung

Ausführliche Information

Place of Origin:

China

Technologie:

Sammler-Emitter-Sättigungsspannung:

1,5V

Kollektor-Emitter Kapazitanz:

100 pF

Installationsstil:

SMD/SMT

Produkt:

Dioden-Leistungsmodule

Hersteller:

PRX

Garantie:

365 Tage

Verlustleistung:

500W

Unterkategorie:

Schnittstellen-ICs

Vorlaufzeiten:

Sofort Versand

Nennspannung:

1200 V

Abmessungen:

106.4*61.4*30.5mm

Feuchtigkeit empfindlich:

Hervorheben:

Kurzschlussstrom-IGBT-Modul

IGBT-Module mit niedrigem VCE-Sat

IGBT-Modul mit niedrigem Schaltverlust

Produkt-Beschreibung

Niedrige VCE Sat und Kurzschlussstrom IGBT-Modul für und niedrige Schaltverluste KUG100H12S4L
Niedriges VCE (sat)
10 μs Kurzschlussstrom
Niedrige Umschaltverluste
Positiver Temperaturkoeffizient VCE (sat)
Freiraddioden mit sehr geringem Vorwärtsspannungsabfall und sanfter Wiederherstellung
Industrieübliche Verpackung mit Kupfer-Basisplatte

Diagramm der inneren Schaltung

Spezifikationsparameter

TYPE	VCES	VGES	IC	VCE(SAT)	(EON+EOFF)	TJ	Ptot	Schaltkreis	Paket	Technologie
TYPE	Elektronen und Strom	Elektronen und Strom	Ampere	Elektronen und Strom	mJ	TJ	Watt	Schaltkreis	Paket	Technologie
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 20	40A	2.80V	7.2mJ	150°C	250 W	2 Packungen	34 mm	NPT
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 20	50A	2.80V	7.2mJ	150°C	285W	2 Packungen
Bei der Anwendung dieser Verordnung ist die Kommission verpflichtet, die in Absatz 1 genannten Maßnahmen zu treffen.	1200 V	± 20	75A	2.80V	100,6 mJ	150°C	395W	2 Packungen
Bei der Anwendung der Vorschriften Nr. 1 und 2 ist der Begriff "Verbrennungsmittel" zu verstehen.	1200 V	± 20	100A	3.10V	13.4mJ	150°C	555W	2 Packungen
Bei der Anwendung der Vorschriften Nr. 1 bis 4 ist die	1200 V	± 20	150A	2.80V	17.0 mJ	150°C	790 W	2 Packungen
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.	1200 V	± 20	40A	2.10V	8.8mJ	175°C	250 W	2 Packungen		Graben FS
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 30	50A	1.65V	10.1 mJ	175°C	285W	2 Packungen
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 30	75A	1.65V	18.0 mJ	175°C	395W	2 Packungen
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 30	100A	1.65V	24.8mJ	175°C	555W	2 Packungen
Bei der Anwendung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften	1200 V	± 20	40A	2.10V	8.4mJ	175°C	250 W	2 Packungen		Graben Schnell
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 20	50A	2.25V	9.4mJ	175°C	285W	2 Packungen
Bei der Anwendung dieser Regelung sind die folgenden Anforderungen zu beachten:	1200 V	± 20	75A	2.00V	14.0 mJ	175°C	395W	2 Packungen
Bei der Anwendung der Vorschriften Nr. 1 und 2 ist der Begriff "Verbraucher" zu verstehen.	1200 V	± 20	100A	1.90V	19.5mJ	175°C	555W	2 Packungen
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.	1200 V	± 20	150A	1.90V	27.8mJ	175°C	790 W	2 Packungen

Niedrigverlust-IGBT-Modul mit niedriger VCE-Sättigung 1

Umbauten:

Transistormodul

IGBT-Modul

IGBT-Leistungsmodul

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